SiC MOS系列-无锡市查奥微电子科技有限公司

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Si MOSFET系列产品

Si IGBT系列产品

Si SBD系列产品

肖特基二极管

SiC MOSFET/SBD系列产品

产品概述

SiC MOS系列

查奥微SiC MOS产品耐压为650、800、1200V，导通电阻26~190mΩ，最大漏极电流11~99A，封装形式有TO-220F、TO-220、TO-247-3L等。

产品展示

TO-247-3

TO-220C

TO-220AB

TO-220F

TO-247

SiC SBD系列 SiC MOS系列

产品型号

CAS产品类型	成品产品型号	Voltage(V)	R_DS(ON) (mΩ)	I_D(A)	Package	Datasheet

SiC MOSFET	CSM26A065PTZ	650	26	99	TO-247-3
SiC MOSFET	CSM55A065PTZ	650	55	55	TO-247-3
SiC MOSFET	CSM90A065PBZ	650	90	30	TO-220
SiC MOSFET	CSM95A065PCZ	650	95	24	TO-220F
SiC MOSFET	CSM190A080PCZ	800	190	11	TO-220F
SiC MOSFET	CSM40A120PFTJ	1200	40	76	TO-247-4
SiC MOSFET	CSM40A120PDJ	1200	40	76	TO-263-7
SiC MOSFET	CSM40A120PTJ	1200	40	76	TO-247
SiC MOSFET	CSM80A120PFC	1200	80	36	TO-247-4
SiC MOSFET	CSM80A120PDC	1200	80	36	TO-247-3