IGBT由MOSFET和BJT复合而成,具有高输入阻抗、驱动功率小、开关频率高、导通电流大、导通损耗小、饱和压降低等,可靠性高等特点。查奥微聚焦Trench-FS IGBT结构,致力于为客户提供更优的产品,更好平衡通态损耗与开关损耗、通态损耗与器件耐压。该系列产品被广泛应用于家电、电机驱动系统等消费、工业领域。
TO-220F
TO-3P
TO-220-2
TO-263
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