SiC MOSFET及SBD作为功率半导体中的两大重要技术，主要利用碳化硅材料的高禁带宽度、‌高临界电场、‌高饱和漂移速度和高热导率等特性，‌提供了高速、‌高频、‌高效率和高温工作的能力。‌查奥微深耕该领域，旨在为客户提供更高性能和高可靠性的应用产品，目前该系列产品已成功为下游汽车OBC、电焊机、聚鱼灯等客户助力。