查奥微自主研发HighVoltage（HV高电压）、LowVoltage（LV低电压）及SuperJunction（超结）三大MOSFET系列产品，该系列产品已广泛应用于下游消费电子类领域，为公司经营带来强大助力，下游客户主要使用的产品涵盖工业电源、植物照明、电子烟、服务器电源、高速风筒及音响等领域。
了解更多 >
IGBT的主要工作原理是通过控制栅极电压来控制空穴和电子在半导体层中的流动，从而控制器件的导通和关断，查奥微聚焦Trench-FS IGBT结构，在通态损耗与开关损耗、通态损耗与器件耐压之间为客户提供了良好的折中选择，该系列产品被广泛应用于消费、工业控制等领域。
了解更多 >
SiC MOSFET及SBD作为功率半导体中的两大重要技术，主要利用碳化硅材料的高禁带宽度、高临界电场、高饱和漂移速度和高热导率等特性，提供了高速、高频、高效率和高温工作的能力。查奥微深耕该领域，旨在为客户提供更高性能和高可靠性的应用产品，目前该系列产品已成功为下游汽车OBC、电焊机、聚鱼灯等客户助力。
了解更多 >
